工作电压 12 V
电容 38 pF
击穿电压 14.7 V
钳位电压 35 V
测试电流 5 mA
脉冲峰值功率 180 W
最小反向击穿电压 14.7 V
击穿电压 14.7 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
PESD12VS2UAT,215 | NXP 恩智浦 | ESD Suppressor TVS 12V Automotive 3Pin TO-236AB T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: PESD12VS2UAT,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-236-3 | 当前型号 | ESD Suppressor TVS 12V Automotive 3Pin TO-236AB T/R | 当前型号 | |
型号: PESD12VS2UT,215 品牌: 恩智浦 封装: TO-236AB | 类似代替 | ESD ElectroStatic Discharge Protection Unidirectional Diode Arrays, PESD Series, NXP### 瞬态电压抑制器,NXP | PESD12VS2UAT,215和PESD12VS2UT,215的区别 | |
型号: MMBZ15VALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 15V 1A 40W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBZ15VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 12 V, 21 V, SOT-23, 3 引脚 | PESD12VS2UAT,215和MMBZ15VALT1G的区别 | |
型号: MMBZ15VDLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 15V 1A 40W | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBZ15VDLT1G... 单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C | PESD12VS2UAT,215和MMBZ15VDLT1G的区别 |