PSMN1R7-25YLC,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
耗散功率 164W Tc
漏源极电压Vds 25 V
输入电容Ciss 3735pF @12VVds
耗散功率Max 164W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 Power-SO8
封装 Power-SO8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN1R7-25YLC,115 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 25V 100A 5Pin4+Tab LFPAK T/R | 搜索库存 |