极性 N-Channel
耗散功率 1.8 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
输入电容Ciss 330pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
耗散功率Max 1.8W Ta, 8.3W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PHT6N06LT,135 | NXP 恩智浦 | SC-73 N-CH 55V 5.5A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PHT6N06LT,135 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-261-4 N-Channel 55V 5.5A | 当前型号 | SC-73 N-CH 55V 5.5A | 当前型号 | |
型号: BUK78150-55A,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-73 N-Channel 55V 5.5A | 功能相似 | SC-73 N-CH 55V 5.5A | PHT6N06LT,135和BUK78150-55A,115的区别 | |
型号: BUK98150-55A,135 品牌: 恩智浦 封装: SC-73 N-Channel 55V 5.5A | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 55V 5.5A 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | PHT6N06LT,135和BUK98150-55A,135的区别 | |
型号: PHT6N06T 品牌: 恩智浦 封装: SOT-223 N-Channel 55V 2.5A | 功能相似 | NXP PHT6N06T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 55 V, 150 mohm, 10 V, 3 V | PHT6N06LT,135和PHT6N06T的区别 |