PMT21EN,135
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
耗散功率 820mW Ta, 8.33W Tc
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 588pF @15VVds
额定功率Max 820 mW
下降时间 77 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 820mW Ta, 8.33W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PMT21EN,135 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 30V 7.4A 4Pin3+Tab SC-73 T/R | 搜索库存 |