PMT29EN,115

NXP(恩智浦) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 4Pin3+Tab SC-73 T/R

N-Channel 30V 6A Ta 820mW Ta, 8.33W Tc Surface Mount SOT-223

得捷:
MOSFET N-CH 30V 6A SC-73

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R

PMT29EN,115中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.76 W

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 492pF @15VVds

额定功率Max 820 mW

耗散功率Max 820mW Ta, 8.33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PMT29EN,115引脚图与封装图

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