MC100EP35D中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
电路数 1
时钟频率 3 GHz
位数 1
极性 Non-Inverting, Inverting
电源电压 3V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC100EP35D引脚图与封装图 
MC100EP35D引脚图
MC100EP35D封装图
MC100EP35D封装焊盘图
在线购买MC100EP35D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC100EP35D | ON Semiconductor 安森美 | 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8 | 搜索库存 |
替代型号MC100EP35D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC100EP35D 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC 1Bit 5V 8Pin | 当前型号 | 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8 | 当前型号 |
| 型号： MC100EP35DG 品牌： 安森美 封装： SOIC 1Bit 3V 8Pin | 类似代替 | ECL 触发器、闩锁和移位寄存器，ON Semiconductor### ECL（发射器耦合逻辑）逻辑 | MC100EP35D和MC100EP35DG的区别 |