MC10EP08DR2
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
主动器件
MC10EP08DR2中文资料参数规格
技术参数
电路数 1
静态电流 30.0 mA
逻辑门个数 1
输入数 2
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MC10EP08DR2引脚图与封装图
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在线购买MC10EP08DR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MC10EP08DR2 | ON Semiconductor 安森美 | 差2输入XOR / XNOR Differential 2-Input XOR/XNOR | 搜索库存 |
替代型号MC10EP08DR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MC10EP08DR2 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOIC | 当前型号 | 差2输入XOR / XNOR Differential 2-Input XOR/XNOR | 当前型号 |
| 型号： MC10EP08DG 品牌： 安森美 封装： SOIC 3V 8Pin | 类似代替 | ECL 逻辑门，ON Semiconductor差分 ECL 逻辑门，包括 AND、NAND、OR、NOR、XOR、XNOR 和反相门。### ECL（发射器耦合逻辑）逻辑 | MC10EP08DR2和MC10EP08DG的区别 |
| 型号： MC10EP08DR2G 品牌： 安森美 封装： SOIC-8 | 类似代替 | 逻辑门 3.3V/5V ECL 2-Input Diff XOR/XNOR | MC10EP08DR2和MC10EP08DR2G的区别 |
| 型号： SY10EP08VZC 品牌： 迈瑞 封装： SOIC 5V 8Pin | 功能相似 | IC GATE XOR/XNOR 3.3V/5V 8-SOIC | MC10EP08DR2和SY10EP08VZC的区别 |