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MT46V256M4TG-75:A

MT46V256M4TG-75:A

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.4INCH, 0.65MM PITCH, PLASTIC, TSOP-66

SDRAM - DDR 存储器 IC 1Gb(256M x 4) 并联 133 MHz 750 ps 66-TSOP


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 1Gbit 256Mx4 2.5V 66-Pin TSOP Tray


MT46V256M4TG-75:A中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50 V, 2.70 V max

工作电压 2.50 V

时钟频率 133MHz max

存取时间 7.50 ns

内存容量 1000000000 B

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-66

外形尺寸

封装 TSSOP-66

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray, Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MT46V256M4TG-75:A引脚图与封装图
MT46V256M4TG-75:A引脚图

MT46V256M4TG-75:A引脚图

MT46V256M4TG-75:A封装图

MT46V256M4TG-75:A封装图

MT46V256M4TG-75:A封装焊盘图

MT46V256M4TG-75:A封装焊盘图

在线购买MT46V256M4TG-75:A
型号 制造商 描述 购买
MT46V256M4TG-75:A Micron 镁光 DDR DRAM, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.4INCH, 0.65MM PITCH, PLASTIC, TSOP-66 搜索库存