MT48H4M16LFB4-10

Micron(镁光) 主动器件

IC SDRAM 64Mbit 100MHz 54VFBGA

SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb（4M x 16）并联 104 MHz 7 ns 54-VFBGA（8x8）

得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 4Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA Tray

Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64M-Bit 4Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA Tray

Win Source:
IC SDRAM 64MBIT 100MHZ 54VFBGA

MT48H4M16LFB4-10中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 104MHz max

存取时间 100 µs

内存容量 64000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 VFBGA-54

外形尺寸

封装 VFBGA-54

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT48H4M16LFB4-10引脚图与封装图

MT48H4M16LFB4-10引脚图

MT48H4M16LFB4-10封装图

MT48H4M16LFB4-10封装焊盘图

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