MT48H4M16LFF4-8

Micron(镁光) 主动器件

IC SDRAM 64Mbit 125MHz 54VFBGA

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 64Mb 4M x 16 Parallel 125MHz 6ns 54-VFBGA 8x8

得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA

艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 64Mbit 4Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA Tray

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 64M-Bit 4Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA Tray

MT48H4M16LFF4-8中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

工作电压 1.80 V

时钟频率 125MHz max

位数 16

存取时间 125 µs

内存容量 64000000 B

存取时间Max 6ns, 8ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 VFBGA-54

外形尺寸

封装 VFBGA-54

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MT48H4M16LFF4-8引脚图与封装图

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