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MD1811K6-G

MD1811K6-G

数据手册.pdf
Microchip(微芯) 主动器件

半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A

半桥 栅极驱动器 IC 非反相 16-QFN(4x4)


得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN


立创商城:
半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A


艾睿:
Drive a high voltage and high current line with a transistor a certain way with this MD1811K6-G power driver manufactured by Microchip Technology. This device has a maximum propagation delay time of 7typ ns and a maximum power dissipation of 2200 mW. Its maximum power dissipation is 2200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 13 V. This gate driver has a minimum operating temperature of -20 °C and a maximum of 85 °C.


安富利:
MOSFET DRVR 2A 4-OUT Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16-Pin QFN


Verical:
Driver 2A 4-OUT High and Low Side Inv 16-Pin QFN EP T/R


MD1811K6-G中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 6 ns

输出接口数 4

耗散功率 2200 mW

下降时间Max 6 ns

上升时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -20 ℃

耗散功率Max 2200 mW

电源电压 5V ~ 12V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 16

封装 QFN-16

外形尺寸

封装 QFN-16

物理参数

工作温度 -20℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MD1811K6-G引脚图与封装图
MD1811K6-G引脚图

MD1811K6-G引脚图

MD1811K6-G封装图

MD1811K6-G封装图

MD1811K6-G封装焊盘图

MD1811K6-G封装焊盘图

在线购买MD1811K6-G
型号 制造商 描述 购买
MD1811K6-G Microchip 微芯 半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A 搜索库存
替代型号MD1811K6-G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MD1811K6-G

品牌: Microchip 微芯

封装: QFN-16

当前型号

半桥 MOSFET 灌:2A 拉:2A

当前型号

型号: MD1810K6-G

品牌: 微芯

封装: QFN-16

完全替代

MD1810 系列 12 V 2 A 表面贴装 高速 四 MOSFET 驱动器 - QFN-16

MD1811K6-G和MD1810K6-G的区别

型号: MD1812K6-G

品牌: 微芯

封装: QFN-16

类似代替

MOSFET DRVR 2A 4Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin QFN T/R

MD1811K6-G和MD1812K6-G的区别

型号: MD1813K6-G

品牌: 微芯

封装: QFN-16

类似代替

MOSFET DRVR 2A 4Out Hi/Lo Side Inv/Non-Inv 16Pin QFN T/R

MD1811K6-G和MD1813K6-G的区别