MBR1050HE3/45中文资料参数规格
技术参数
正向电压 800mV @10A
正向电流 10 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 150 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-2
外形尺寸
长度 10.54 mm
宽度 4.7 mm
高度 8.89 mm
封装 TO-220-2
物理参数
工作温度 65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MBR1050HE3/45引脚图与封装图
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在线购买MBR1050HE3/45
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBR1050HE3/45 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Schottky 50V 10A Automotive 2Pin2+Tab TO-220AC Tube | 搜索库存 |
替代型号MBR1050HE3/45
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBR1050HE3/45 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Diode Schottky 50V 10A Automotive 2Pin2+Tab TO-220AC Tube | 当前型号 |
| 型号： MBR1050-E3/45 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode Schottky 50V 10A To220ac | MBR1050HE3/45和MBR1050-E3/45的区别 |
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| 型号： MBR1050 品牌： Galaxy Semi-Conductor 封装： | 功能相似 | Diode Schottky 50V 10A 2Pin2+Tab TO-220AC | MBR1050HE3/45和MBR1050的区别 |