MPSW55G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 50 @250mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MPSW55G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MPSW55G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW55G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -500mA | 当前型号 | 一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： MPSW55 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -500mA | 完全替代 | 一瓦的放大器晶体管（ PNP硅） One Watt Amplifier TransistorsPNP Silicon | MPSW55G和MPSW55的区别 |
| 型号： MPSW55RLRA 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -500mA | 完全替代 | TO-92 PNP 60V 0.5A | MPSW55G和MPSW55RLRA的区别 |
| 型号： MPSW55RLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -500mA | 类似代替 | 一瓦放大器晶体管 One Watt Amplifier Transistors | MPSW55G和MPSW55RLRAG的区别 |