MMBT100A
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
MMBT100A中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC 45.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 1V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MMBT100A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MMBT100A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT100A 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 45V 500mA 0.35W | 当前型号 | NPN通用放大器 NPN General Purpose Amplifier | 当前型号 |
| 型号： MMBT6429LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 45V 200mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBT6429LT1G 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 700 MHz, 225 mW, 200 mA, 500 hFE | MMBT100A和MMBT6429LT1G的区别 |
| 型号： MMBT6429LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 200mA 300mW | 功能相似 | 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon | MMBT100A和MMBT6429LT1的区别 |