锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
MMDT3906-TP

MMDT3906-TP

数据手册.pdf

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V

The PNP general purpose bipolar junction transistor, developed by , is the perfect solution for your high-current density needs. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 40 V. Its maximum power dissipation is 2000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 40 V.

MMDT3906-TP中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 40

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMDT3906-TP引脚图与封装图
暂无图片
在线购买MMDT3906-TP
型号 制造商 描述 购买
MMDT3906-TP Micro Commercial Components 美微科 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V 搜索库存
替代型号MMDT3906-TP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： MMDT3906-TP

品牌： Micro Commercial Components 美微科

封装： 6-TSSOP PNP -40V -200mA 2000mW

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V

当前型号

型号： MBT3906DW1T1G

品牌： 安森美

封装： SOT-363 PNP -40V -200mA 150mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MBT3906DW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363

MMDT3906-TP和MBT3906DW1T1G的区别

型号： MMDT3906-7-F

品牌： 美台

封装： SOT-363 PNP 40V 200mA 200mW

功能相似

DIODES INC.  MMDT3906-7-F  双极晶体管阵列, 双路, PNP, -40 V, 200 mW, -200 mA, 100 hFE, SOT-363

MMDT3906-TP和MMDT3906-7-F的区别

型号： MBT3906DW1T1

品牌： 安森美

封装： 6-TSSOP PNP -40V -200mA

功能相似

双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

MMDT3906-TP和MBT3906DW1T1的区别