MRF5812GR2
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
MRF5812GR2中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 15 V
增益 13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数hFE 50 @50mA, 5V
额定功率Max 1.25 W
耗散功率Max 1250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF5812GR2引脚图与封装图
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在线购买MRF5812GR2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF5812GR2 | Microsemi 美高森美 | 射频RF双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 搜索库存 |
替代型号MRF5812GR2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF5812GR2 品牌： Microsemi 美高森美 封装： 8-SOIC | 当前型号 | 射频RF双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 当前型号 |
| 型号： MRF581 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A IC, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | MRF5812GR2和MRF581的区别 |