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MT49H64M9SJ-25E:B

MT49H64M9SJ-25E:B

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 64Mx9 1.8V 144Pin F-BGA

DRAM Memory IC 576Mb 64M x 9 Parallel 400MHz 15ns 144-FBGA 18.5x11


得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA


艾睿:
DRAM RL DRAM MT49H64M9SJ 25E


安富利:
DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 64Mx9 1.8V 144-Pin F-BGA


MT49H64M9SJ-25E:B中文资料参数规格
技术参数

存取时间 15 ns

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

MT49H64M9SJ-25E:B引脚图与封装图
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