MT49H16M36SJ-18:B

Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 16Mx36 1.8V 144Pin FBGA

DRAM Memory IC 576Mb 16M x 36 Parallel 533MHz 15ns 144-FBGA 18.5x11

得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 16Mx36 1.8V 144-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip RLDRAM2 576M-Bit 16Mx36 1.8V 144-Pin F-BGA

Verical:
DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 16Mx36 1.8V 144-Pin FBGA

MT49H16M36SJ-18:B中文资料参数规格

技术参数

供电电流 1185 mA

位数 36

存取时间 15 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 FBGA-144

外形尺寸

封装 FBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT49H16M36SJ-18:B引脚图与封装图

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