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MT49H8M36BM-33 IT:B

MT49H8M36BM-33 IT:B

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin MBGA Tray

DRAM 存储器 IC 288Mb(8M x 36) 并联 144-µBGA(18.5x11)


得捷:
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA


艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144-Pin MBGA Tray


安富利:
DRAM Chip RLDRAM 288M-Bit 8Mx36 1.8V 144-Pin M-BGA Tray


Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144-Pin MBGA Tray


MT49H8M36BM-33 IT:B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

位数 36

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 144

封装 BGA-144

外形尺寸

封装 BGA-144

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT49H8M36BM-33 IT:B引脚图与封装图
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MT49H8M36BM-33 IT:B Micron 镁光 DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 8Mx36 1.8V 144Pin MBGA Tray 搜索库存