MNR35J5RJ223
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
被动器件
MNR35J5RJ223中文资料参数规格
技术参数
触点数 10
额定电压DC 50.0 V
容差 ±5 %
额定功率 63.0 mW
电阻 22 kΩ
阻值偏差 ±5 %
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装公制 6432
封装 2512
外形尺寸
长度 6.4 mm
宽度 3.1 mm
高度 0.55 mm
封装公制 6432
封装 2512
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
温度系数 ±200 ppm/℃
其他
产品生命周期 Active
制造应用 汽车级 AEC-Q200
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MNR35J5RJ223引脚图与封装图 
MNR35J5RJ223引脚图
MNR35J5RJ223封装图
MNR35J5RJ223封装焊盘图
在线购买MNR35J5RJ223
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MNR35J5RJ223 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Res Thick Film Array 22KΩ 5% ±200ppm/℃ BUS Molded 10Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R | 搜索库存 |
替代型号MNR35J5RJ223
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MNR35J5RJ223 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 25126432 22kohms 5per 63mW 50V | 当前型号 | Res Thick Film Array 22KΩ 5% ±200ppm/℃ BUS Molded 10Pin 25128 X 1206 Convex SMD Embossed T/R | 当前型号 |
| 型号： NRSN06D8J223TRF 品牌： NIC 封装： | 类似代替 | Res Thick Film Array 22KΩ 5% ±200ppm/℃ BUS Molded 10Pin 2512 Concave SMD Plastic T/R | MNR35J5RJ223和NRSN06D8J223TRF的区别 |
| 型号： EXBA10P223J 品牌： 松下 封装： 2512 22kΩ ±5% 100V | 功能相似 | Array/Network Resistor, Bussed, Metal Glaze/thick Film, 0.063W1/16W, 22000Ω, 50V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1225, CHIP | MNR35J5RJ223和EXBA10P223J的区别 |