KSB772YSTSTU
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSB772YSTSTU中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -3.00 A
极性 PNP
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 3A
最小电流放大倍数hFE 60
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-126-3
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 3.25 mm
高度 11 mm
封装 TO-126-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
KSB772YSTSTU引脚图与封装图
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在线购买KSB772YSTSTU
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSB772YSTSTU | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads | 搜索库存 |
替代型号KSB772YSTSTU
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSB772YSTSTU 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP -30V -3A | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Sil Short Leads | 当前型号 |
| 型号： KSB772YSTU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-126 PNP -30V -3A 1000mW | 类似代替 | PNP 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSB772YSTSTU和KSB772YSTU的区别 |