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KSA812GMTF

KSA812GMTF

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

PNP外延平面晶体管低频放大器补充型KSC1623

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 200~400 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor Low Frequency Amplifier Complement to KSC1623 描述与应用| PNP外延平面 低频放大器 补充型KSC1623

KSA812GMTF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 6V

最大电流放大倍数hFE 600

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSA812GMTF引脚图与封装图
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