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KSB1116ALTA

KSB1116ALTA

数据手册.pdf
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件
KSB1116ALTA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

耗散功率 750 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @100mA, 2V

最大电流放大倍数hFE 400

额定功率Max 750 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSB1116ALTA引脚图与封装图
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KSB1116ALTA Fairchild 飞兆/仙童 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Epitaxial Transistor 搜索库存