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KSE3055T
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

通用和开关应用 General Purpose and Switching Applications

**General Purpose and Switching Applications**

• DC Current Gain Specified to IC =10A

• High Current Gain-Bandwidth Product : fT = 2MHz Min.


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Sil Transistor


艾睿:
Trans GP BJT NPN 60V 10A 3-Pin3+Tab TO-220AB Bulk


KSE3055T中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

耗散功率 75 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 20 @4A, 4V

最大电流放大倍数hFE 100

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

KSE3055T引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
KSE3055T Fairchild 飞兆/仙童 通用和开关应用 General Purpose and Switching Applications 搜索库存
替代型号KSE3055T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: KSE3055T

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 60V 10A

当前型号

通用和开关应用 General Purpose and Switching Applications

当前型号

型号: KSE3055TTU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-220 NPN 60V 10A 75W

完全替代

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Sil Transistor

KSE3055T和KSE3055TTU的区别

型号: MJE3055T

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 NPN 60V 10A 75000mW

功能相似

STMICROELECTRONICS  MJE3055T  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 3 A, 400 hFE

KSE3055T和MJE3055T的区别

型号: MJE3055TG

品牌: 安森美

封装: TO-220 NPN 60V 10A 75000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  MJE3055TG  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 75 W, 10 A, 5 hFE 新

KSE3055T和MJE3055TG的区别