KSH112GTM
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
KSH112GTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 2.00 A
极性 NPN
耗散功率 1750 mW
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 2A
最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V
额定功率Max 1.75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 25MHz Min
耗散功率Max 1750 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
KSH112GTM引脚图与封装图
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在线购买KSH112GTM
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| KSH112GTM | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans Darlington NPN 100V 2A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号KSH112GTM
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： KSH112GTM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： DPAK NPN 100V 2A 1750mW | 当前型号 | Trans Darlington NPN 100V 2A 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： MJD112TF 品牌： 飞兆/仙童 封装： DPAK NPN 100V 2A 1750mW | 类似代替 | NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSH112GTM和MJD112TF的区别 |
| 型号： KSH112TM 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-252-3 NPN 100V 2A 1750mW | 类似代替 | Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; TO252/DPAK | KSH112GTM和KSH112TM的区别 |