额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 4.58 mm
宽度 3.86 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSP27TA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 60V 500mA 625mW | 当前型号 | 达林顿晶体管 Darlington Transistor | 当前型号 | |
型号: MPSA27RLRAG 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 60V 500mA 625mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MPSA27RLRAG 单晶体管 双极, NPN, 60 V, 625 mW, 500 mA, 10000 hFE | KSP27TA和MPSA27RLRAG的区别 | |
型号: BC557BTA 品牌: 安森美 封装: TO-92 | 功能相似 | ON Semiconductor BC557BTA , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:110, 150 MHz, 3引脚 TO-92封装 | KSP27TA和BC557BTA的区别 | |
型号: 2N6426G 品牌: 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 500mA 625mW | 功能相似 | 达林顿晶体管NPN硅 Darlington Transistors NPN Silicon | KSP27TA和2N6426G的区别 |