JR28F064M29EWHA
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
JR28F064M29EWHA中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 2.70V min
位数 8, 16
存取时间 70 ns
内存容量 8000000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.7V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 2.7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 TSOP-48
外形尺寸
长度 18.4 mm
宽度 12 mm
高度 1 mm
封装 TSOP-48
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Each
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
JR28F064M29EWHA引脚图与封装图 
JR28F064M29EWHA引脚图
JR28F064M29EWHA封装图
JR28F064M29EWHA封装焊盘图
在线购买JR28F064M29EWHA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JR28F064M29EWHA | Micron 镁光 | Micron ### 快闪存储器 闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。 | 搜索库存 |
替代型号JR28F064M29EWHA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JR28F064M29EWHA 品牌： Micron 镁光 封装： 48-TFSOP 8000000B 2.7V 48Pin | 当前型号 | Micron### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM，必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数，适用于不经常更改的程序存储。 | 当前型号 |
| 型号： JR28F064M29EWHB TR 品牌： 镁光 封装： | 功能相似 | IC FLASH 64Mbit 70NS 48TSOP | JR28F064M29EWHA和JR28F064M29EWHB TR的区别 |