IGB01N120H2ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
耗散功率 28000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 28 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 28000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IGB01N120H2ATMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 3.2A 3Pin2+Tab TO-263 | 搜索库存 |