IRG7PG42UDPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 85A 3Pin TO-247AC Tube

IGBT 沟道 1000 V 85 A 320 W 通孔 TO-247AC

得捷:
IGBT 1000V 85A 320W TO247AC

贸泽:
IGBT Transistors IGBT DISCRETES

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 85A 320000mW Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1000V 85A 3-Pin TO-247AC Tube

IRG7PG42UDPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 320000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

反向恢复时间 153 ns

额定功率Max 320 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 320000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRG7PG42UDPBF引脚图与封装图

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