IGB03N120H2ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
针脚数 3
耗散功率 62.5 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 62500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IGB03N120H2ATMA1 | Infineon 英飞凌 | INFINEON IGB03N120H2ATMA1 单晶体管, IGBT, 3 A, 2.8 V, 62.5 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚 | 搜索库存 |