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IGB03N120H2ATMA1

IGB03N120H2ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IGB03N120H2ATMA1  单晶体管, IGBT, 3 A, 2.8 V, 62.5 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚

Summary of Features:

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Loss reduction in resonant circuits
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Temperature stable behavior
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Parallel switching capability
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Tight parameter distribution
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E off optimized for IC =1A

Target Applications:

 

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SMPS
IGB03N120H2ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 62.5 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 62.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 62500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IGB03N120H2ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IGB03N120H2ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IGB03N120H2ATMA1  单晶体管, IGBT, 3 A, 2.8 V, 62.5 W, 1.2 kV, TO-263, 3 引脚 搜索库存