IRF6610TR1PBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Direct-FET N-CH 20V 15A

表面贴装型 N 通道 20 V 15A（Ta），66A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ SQ

得捷:
MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

贸泽:
MOSFET 20V 1 N-CH 5.2mOhm DirectFET 2.1Vgs

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; 42W; DirectFET

IRF6610TR1PBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 42 W

漏源极电阻 0.0052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.2 mW

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 15A

输入电容Ciss 1520pF @10VVds

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 DirectFET-SQ

外形尺寸

长度 4.85 mm

宽度 3.95 mm

高度 0.7 mm

封装 DirectFET-SQ

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IRF6610TR1PBF引脚图与封装图

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