IKB03N120H2ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IKB03N120H2ATMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 62500 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 42 ns
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 62500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IKB03N120H2ATMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IKB03N120H2ATMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 9.6A 3Pin2+Tab TO-263 | 搜索库存 |