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IPB65R600C6ATMA1

IPB65R600C6ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 650V 7.3A

表面贴装型 N 通道 7.3A(Tc) 63W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
IPB65R600 - 650V AND 700V COOLMO


立创商城:
N沟道 650V 7.3A


贸泽:
MOSFET LOW POWER_LEGACY


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
CoolMOS™ C6 combines Infineon"s experience as the leading Superjunction MOSFET supplier with Best-in-Class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.


富昌:
IPB65R600C6 系列 650 V 7.3 A 600 mOhm Cool MOSTM C6 功率晶体管-PG-TO-263


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO263-3


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263


IPB65R600C6ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 63 W

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 63W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 7.3A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 440pF @100VVds

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 63W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPB65R600C6ATMA1引脚图与封装图
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