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IKA15N65H5XKSA1

IKA15N65H5XKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

IGBT 分立,Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块,Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

TrenchStop IGBT ,600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V

• 极低的 VCEsat

• 低断开损耗

• 短尾线电流

• 低 EMI

• 最大接点温度为 175°C


得捷:
IGBT 650V 14A TO220-3


欧时:
Infineon IKA15N65H5XKSA1 N沟道 IGBT, 14 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-220FP封装


e络盟:
单晶体管, IGBT, 15 A, 1.65 V, 33.3 W, 650 V, TO-220, 3 引脚


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 14A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
IGBT 650V 14A 33.3W PG-TO220-3


Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 14A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 14A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# INFINEON  IKA15N65H5XKSA1  IGBT Single Transistor, 15 A, 1.65 V, 33.3 W, 650 V, TO-220, 3


IKA15N65H5XKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 33.3 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 48 ns

额定功率Max 33.3 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 33.3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IKA15N65H5XKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IKA15N65H5XKSA1 Infineon 英飞凌 IGBT 分立,Infineon **Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术,如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。 它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。 这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。 有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 搜索库存