IPD096N08N3GBTMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 80V 73A

N-Channel 80V 73A Tc 100W Tc Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

贸泽:
MOSFET MV POWER MOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 73A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 73A 3-Pin2+Tab TO-252

Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 73A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IPD096N08N3GBTMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 73A

输入电容Ciss 2410pF @40VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD096N08N3GBTMA1引脚图与封装图

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