IKD06N60RAATMA2

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100000mW Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R

IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3

得捷:
IGBT 600V 12A 100W TO252-3

艾睿:
Trench and Field Stop technology IGBT

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 500V 12A 3-Pin TO-252 T/R

IKD06N60RAATMA2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 100000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 68 ns

额定功率Max 100 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 100000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IKD06N60RAATMA2引脚图与封装图

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