IGB30N60TATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin2+Tab TO-263

IGBT Trench 600V 60A 187W Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
IGBT 600V 60A 187W TO263-3-2

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3-Pin2+Tab D2PAK

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin2+Tab TO-263

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IGB30N60TATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 187000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 187 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 187000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Other hard switching applications

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IGB30N60TATMA1引脚图与封装图

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