IHW40N65R5XKSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
Infineon IHW40N65R5XKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
TrenchStop IGBT ,600 和 650V
一系列 Infineon IGBT 晶体管,集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V,采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
极低的 VCEsat
低断开损耗
短尾线电流
低 EMI
最大接点温度为 175°C
得捷:
IGBT 650V 80A TO247-3
欧时:
Infineon IHW40N65R5XKSA1 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
立创商城:
IHW40N65R5XKSA1
贸泽:
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
e络盟:
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube
Chip1Stop:
REVERSE CONDUCTING IGBT WITH MONOLITHIC BODY DIODE
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin3+Tab TO-247 Tube