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IPG20N06S2L65ATMA1

IPG20N06S2L65ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L65ATMA1, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装

OptiMOS™ 双电源 MOSFET


立创商城:
2个N沟道 55V 20A


得捷:
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4


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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPG20N06S2L65ATMA1, 20 A, Vds=55 V, 8引脚 TDSON封装


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 20 A, 0.053 ohm, TDSON, 表面安装


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Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


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Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R


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MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4


IPG20N06S2L65ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.053 Ω

极性 N-CH

耗散功率 43 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 410pF @25VVds

额定功率Max 43 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 43000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8-4

外形尺寸

长度 5.15 mm

宽度 5.9 mm

高度 1 mm

封装 PG-TDSON-8-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Load Switches, Direct Fuel Injection, LED and Body lighting, Solenoid control, ABS Valves

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IPG20N06S2L65ATMA1引脚图与封装图
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