IGD01N120H2BUMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IGD01N120H2BUMA1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 28000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 28 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 28000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IGD01N120H2BUMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IGD01N120H2BUMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IGD01N120H2BUMA1 | Infineon 英飞凌 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |