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IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPT059N15N3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 A, 150 V, 0.005 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上


得捷:
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF


欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPT059N15N3ATMA1, 155 A, Vds=150 V, 8引脚 HSOF封装


立创商城:
N沟道 150V 155A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 8-Pin HSOF T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 155A 9-Pin8+Tab HSOF T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 155A; 375W; PG-HSOF-8-1


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 155A Automotive 9-Pin8+Tab HSOF T/R


Newark:
# INFINEON  IPT059N15N3ATMA1  MOSFET Transistor, N Channel, 115 A, 150 V, 0.005 ohm, 10 V, 3 V


IPT059N15N3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 375 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 155A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 5400pF @75VVds

额定功率Max 375 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-HSOF-8-1

外形尺寸

长度 10.58 mm

宽度 10.1 mm

高度 2.4 mm

封装 PG-HSOF-8-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, 照明, 车用, Communications & Networking, 电源管理, 通信与网络, Power Management, Automotive, Telecom, Point-of-load POL

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPT059N15N3ATMA1引脚图与封装图
IPT059N15N3ATMA1引脚图

IPT059N15N3ATMA1引脚图

IPT059N15N3ATMA1封装图

IPT059N15N3ATMA1封装图

IPT059N15N3ATMA1封装焊盘图

IPT059N15N3ATMA1封装焊盘图

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IPT059N15N3ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPT059N15N3ATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 115 A, 150 V, 0.005 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存