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IRGP4760-EPBF

IRGP4760-EPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 325000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

Benefits:

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Low VCEON and Switching Losses
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5.5µs Short Circuit SOA
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Square RBSOA
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Maximum Junction Temperature 175°C
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Positive VCEON Temperature Coefficient
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Lead-Free, RoHs compliant

得捷:
IGBT 650V TO-247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 325000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 3-Pin TO-247AD Tube


IRGP4760-EPBF中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 325000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 325 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 325000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IRGP4760-EPBF引脚图与封装图
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IRGP4760-EPBF Infineon 英飞凌 Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 325000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube 搜索库存