IPD06N03LB G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD06N03LB G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
漏源极电阻 9.1 mΩ
耗散功率 83 W
输入电容 2.80 nF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 2800pF @15VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD06N03LB G引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD06N03LB G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3Pin2+Tab TO-252 | 搜索库存 |