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IPP60R299CPXKSA1

IPP60R299CPXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPP60R299CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 11A(Tc) 96W(Tc) PG-TO220-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3


e络盟:
INFINEON  IPP60R299CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


IPP60R299CPXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 11.0 A

额定功率 96 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.27 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 96 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 11.0 A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 1100pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 96W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

IPP60R299CPXKSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPP60R299CPXKSA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPP60R299CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存