IPD50R500CEBTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPD50R500CEBTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 57W Tc
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 7.6A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 433pF @100VVds
下降时间 12 ns
耗散功率Max 57W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPD50R500CEBTMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IPD50R500CEBTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD50R500CEBTMA1 | Infineon 英飞凌 | DPAK N-CH 500V 7.6A | 搜索库存 |
替代型号IPD50R500CEBTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPD50R500CEBTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 500V 7.6A | 当前型号 | DPAK N-CH 500V 7.6A | 当前型号 |
| 型号： IPD50R500CEATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TO-252-3 N-CH 500V 7.6A | 类似代替 | DPAK N-CH 500V 7.6A | IPD50R500CEBTMA1和IPD50R500CEATMA1的区别 |