IRGP6660D-EPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 330000mW 3Pin3+Tab TO-247AD Tube

IGBT - 600 V 95 A 330 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 60A TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 330000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 3-Pin TO-247AD Tube

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 95A 3-Pin3+Tab TO-247AD Tube

IRGP6660D-EPBF中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 330000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 70 ns

额定功率Max 330 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 330000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Welding

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRGP6660D-EPBF引脚图与封装图

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