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IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0017 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 120A(Tc) 375W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


欧时:
MOSFET N-Ch 100V 176A OptiMOS5 D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK


立创商城:
N沟道 100V 120A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin TO-263 T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 176A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB020N10N5ATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 375 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0017 Ω

极性 N-CH

耗散功率 375 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 15600pF @50VVds

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IPB020N10N5ATMA1引脚图与封装图
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