IRF6721STRPBF
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRF6721STRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 42 W
通道数 1
漏源极电阻 8.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 14A
上升时间 8.9 ns
输入电容Ciss 1430pF @15VVds
下降时间 5.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DirectFET-SQ
外形尺寸
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-SQ
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRF6721STRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF6721STRPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6721STRPBF | Infineon 英飞凌 | Direct-FET N-CH 30V 14A | 搜索库存 |
替代型号IRF6721STRPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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