IXFR80N50P
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFR80N50P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 80.0 A
漏源极电阻 0.072 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
阈值电压 5 V
输入电容 12.7 pF
栅电荷 197 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 45.0 A
上升时间 27 ns
隔离电压 2.50 kV
输入电容Ciss 12700pF @25VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXFR80N50P引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFR80N50P | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXFR80N50P MOSFET Transistor, N Channel, 45A, 500V, 72mohm, 10V, 5V | 搜索库存 |