IXGR60N60C2
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR60N60C2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 250 W
上升时间 35.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
IXGR60N60C2引脚图与封装图
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在线购买IXGR60N60C2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGR60N60C2 | IXYS Semiconductor | IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C2 IGBT Single Transistor, 75A, 2.7V, 250W, 600V, TO-247AD, 3Pins | 搜索库存 |
替代型号IXGR60N60C2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGR60N60C2 品牌： IXYS Semiconductor 封装： ISOPLUS247 250000mW | 当前型号 | IXYS SEMICONDUCTOR IXGR60N60C2 IGBT Single Transistor, 75A, 2.7V, 250W, 600V, TO-247AD, 3Pins | 当前型号 |
| 型号： IRGP4650DPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 268000mW | 功能相似 | INFINEON IRGP4650DPBF 单晶体管, IGBT, 76 A, 1.6 V, 268 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚 | IXGR60N60C2和IRGP4650DPBF的区别 |